1956 р.н., доктор фізико-математичних наук, доцент.
Закінчив факультет електронної техніки Київського політехнічного інституту в 1979 р. У 1986-89 рр. навчався в аспірантурі Інституту фізики напівпровідників НАН України. В 1993 р. захистив кандидатську дисертацію “Дослідження природи надлишкового шуму в напівпровідниках” (науковий керівник проф. Лук’янчикова Н. Б.), в 2015 році захистив докторську дисертацію “ Електричний шум в структурах з низьковимірним електронним газом” (науковий консультант проф. Данильченко Б.О.) Працював науковим співробітником Науково-дослідного інституту ім. Мануїльського (1989-91 рр.), молодшим (1991-94 рр.), науковим (1994-2000 рр.) та старшим науковим співробітником (2000-02 рр.) Інституту фізики напівпровідників НАН України. З 2002 р. по 2015 р. працював старшим науковим співробітником, з 2016 – провідний науковий співробітник кафедри електрофізики факультету радіофізики, електроніки та комп’ютерних систем Київського національного університету. Щорічно під його керівництвом виконуються дипломні роботи студентами факультету радіофізики, електроніки та комп’ютерних систем КНУ. Веде спецкурс “Флуктуаційні явища в електронних системах” для магістрів. Основні напрями досліджень: низькочастотні флуктуації в електроніці; шумові дослідження НВЧ транзисторів на основі нітридів, розробка високочутливих сенсорів біохімічних реакцій на основі кремнієвих (MOSFET) та нітридних польових наноструктур, низькочастотний шум в квантових структурах. Експериментально доказано існування в напівпровідникових матеріалах об’ємних 1/f флуктуацій кількості носіїв заряду, що збагатило дискусію відносно природи 1/f шуму в напівпровідниках і дало додатковий аргумент на користь ідеї про зв’язок 1/f шуму і генераційно-рекомбінаційного шуму. Досліджено нестаціонарний низькочастотний надлишковий шум в потужних НВЧ польових транзисторах на основі GaN (HEMT), виявлено істотні зміни форми спектра в умовах саморозігріву. Даний вид шуму є результатом поведінки структури як складної системи із збільшеним числом ступенів вільності, і його дослідження виявляє особливості цієї поведінки. Результатом роботи є оптимізація технологічних умов виготовлення транзисторів. Започатковано дослідження магнітних рідин і полімер-композитів на основі магнітних наночастинок із напівпровідникових матеріалів Fe3O4 і LnSrMnO3, у тому числі покритих тонкою (~2 нм) напівпровідниковою плівкою. На основі цих матеріалів створено періодичні структури із змінними параметрами, а також високопровідні низькокоерцитивні магнітні плівки.Проведено дослідження шумових характеристик низько вимірних провідників – вуглецевих нанотрубок та одиночних органічних молекул, що дозволило не тільки уточнити механізми низьковимірної провідності, але й, за допомогою методів шумової спектроскопії визначити особливості молекулярної структури досліджених об’єктів.
Загальна кількість публікацій – 130. Деякі з них:
- New Approach for Enhancing Sensitivity in Liquid-Gated Nanowire FET Biosensors Under Optical Excitation, Petrychuk, M., Pustovyi, D., Boichuk, N., Long, H., Vitusevich, S., Advanced Materials Technologies, 2024
- Noise Spectroscopy Analysis of Ion Behavior in Liquid Gate-All-Around Silicon Nanowire Field-Effect Transistor Biosensors, Zhang, Y., Boichuk, N., Pustovyi, D., Petrychuk, M., Vitusevich, S., Advanced Materials Interfaces, 2023, 10(36), 2300585
- PVDF/poly(3-methylthiophene)/MWCNT nanocomposites for EMI shielding in the microwave range, Petrychuk, M.V., Oliynyk, V.V., Zagorodnii, V.V., Ogurtsov, N.A., Pud, A.A., Heliyon, 2023, 9(12), e23101
- Transformation in Low-Frequency Noise Spectra in GaN High-Electron-Mobility Transistors in Nonequilibrium Conditions, Petrychuk, M., Vitusevich, S., Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science, 2023, 220(2), 2200619
- Noise Spectroscopy of Transport and Ion-Relted Phenomena in Silicon Nanowire Field-Effect Transistor Biosensors, Guo, Y., Pustovyi, D., Kutovyi, Y., Zhang, Y., Petrychuk, M.V., Vitusevich, S., Advanced Materials Interfaces, 2022, 9(32), 2201142
Повернутись на сторінку: “Склад кафедри”
Повернутись на сторінку: “К-Т“