1947 р.н., завідувач науково-дослідної лабораторії,
Лауреат Державної премії України в галузі науки і техніки
Закінчив радіофізичний факультет Київський державного університету ім. Т. Г. Шевченка в 1972 р. У 1981 р. захистив кандидатську дисертацію “Інжекційні ефекти в електронно-дірковій плазмі напівпровідників з градієнтами рухливостей носіїв заряду” (науковий керівник проф. Добровольський В.М). Працював інженером (1972-74 рр.),старшим інженером (1974-79 рр.), молодшим (1979-82 рр.) та старшим науковим співробітником (1982-1985 рр.), завідувачем НДЛ – директором СКТБ “Тороїд”(1985-91 рр.), директором МДНДП КДУ ім. Т.Г.Шевченка “Елеон” (1991-94рр.), старшим науковим співробітником (1994-2003 рр.), завідувачем НДЛ з 2003 р. Основним науковим напрямом є дослідження ефектів перерозподілу в електронно-дірковій плазмі напівпровідників при градієнтах рухливостей носіїв заряду та екстремальних густинах протікаючого струму. Розробка нових способів збирання напівпровідникових приладів. В результаті проведених досліджень вперше був експериментально виявлений b-дрейф – новий тип дрейфу електронно-діркової плазми в напівпровідниках, пов’язаний зі зміною рухливостей носіїв заряду вздовж напрямку протікання струму. Показано, що при неоднорідному розігріві діодів у них виникає термічний градієнтно-дрейфовий домен, що обумовлює протікання струму в діодах. На базі проведених досліджень розроблено новий спосіб зборки напівпровідникових діодів. У 1982 р. за впровадження у виробництво напівпровідникових приладів одержав Державну премію УРСР у галузі науки та техніки за роботу “Розробка нового способу та освоєння високопродуктивної промислової технології зварювання-паяння напівпровідникових діодів масового застосування”. Наукові досягнення, втілені в експонатах, які були представлені на Виставках передового досвіду СРСР та УРСР, нагороджені багатьма медалями та дипломами. Основні наукові результати знайшли відображення в більш ніж 100 публікаціях у фахових виданнях. Прикладні аспекти наукових робіт захищені 6 авторськими свідоцтвами СРСР. Результати роботи доповідались на 28 наукових конференціях, у тому числі на 17 міжнародних.
Основні публікації:
- Добровольский В.Н., Павлюк С.П. Дрейф электронно-дырочной плазмы, обусловленный градиентами подвижностей носителей заряда. “Наука”// ФТП, № 7, 1977, с.1377-1380.
- Павлюк С.П. Термічний градієнтно-дрейфовий домен в кремнійових діодах з формою, яка змінюється в напрямі протікання струму // Вісник КУ, серія фіз.-мат. науки, 1999, вип.1, с. 297-301.
- DobrovolskyV., Pavljuk S., Rossokhaty V., Cristoloveanu S. Silicon-on-Insulator Control Impact-Ionization-Avalanche Transistor//Appl. Phys.Let., 2006. v. 88, 073502-073504.
- Нинидзе Г.К., Павлюк С.П., Ищук Л.В., Кушниренко В.В. Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения. // Технология и конструирование радиоэлектронной аппаратуры. – 2005. – № 3(57). C. 54 – 57.
Повернутись на сторінку: “Склад кафедри”
Повернутись на сторінку: “К-Т“