доцент
Закінчила з відзнакою радіофізичний факультет Київського державного університету імені Тараса Шевченка у 1983р. Кандидатську дисертацію “Екстремальні струми у напівпровідникових структурах” захистила в 2000р. (науковий керівник проф. Добровольський В.М.). Працювала на кафедрі фізики напівпровідників: у 1983-97 рр. – інженером, у 1997-2005 рр. – молодшим науковим, науковим і старшим науковим співробітником. У 2004 р. розпочала викладацьку роботу асистентом, а з 2005 р. – доцент кафедри електрофізики. Читає нормативні курси “Молекулярна фізика” для студентів першого курсу і “Електрика і магнетизм” для студентів другого курсу факультету радіофізики, електроніки та комп’ютерних систем. Проводить практичні та лабораторні заняття з цих курсів.
Куратор практикумів “Молекулярна фізика” і “Коливання і хвилі”. Іщук Л.В. є співавтором навчально-методичних посібників “Молекулярна фізика в задачах” (2005), “Молекулярна фізика. Задачі, запитання” (2011), методичних вказівок до виконання лабораторних робіт із курсів “Молекулярна фізика”, “Електрика і магнетизм”, “Коливання і хвилі”. Іщук Л.В. є співавтором понад 30 статей, 1 авторського свідоцтва СРСР та 35 доповідей на міжнародних та вітчизняних наукових конференціях. Вона є фахівцем у галузі явищ переносу носіїв заряду у напівпровідниках та напівпровідникових структурах при екстремально великих струмах. Найбільш вагомі результати опубліковані у співавторстві у провідних фахових виданнях:
- Light emission from silicon structures with dielectric insulation, Pavlyuk, S.P., Ishchuk, L.V., Telega, V.M., Malyshev, V.Y., Dubovyk, S.G., Journal of Nano- and Electronic Physics, 2020, 12(4), 04021
- Self-organization in SOI FET, Dobrovolsky, V.N., Ishchuk, L.V., Ninidze, G.K., Pavljuk, S.P., Plichko, Y.O., Microelectronic Engineering, 2004, 72(1-4), pp. 383–387
- Reversed electron-hole pair transport in SOI structure, Dobrovolsky, V.N., Ishchuk, L.V., Ninidze, G.K., Microelectronic EngineeringThis link is disabled., 2001, 59(1-4), pp. 509–513
- High-Amplitude High-Frequency Oscillations of Temperature, Electron-Hole Pair concentration and Current in the Silicon-on-Insulator Structures (Journal of Applied Physics, 2000)
- Electron-Hole Pair Reversed Drift in SOI Structure (In book “Progress in Semiconductor-on-Insulator Structures and Devices Operating at Extreme Conditions”, Kluwer Academic Publishers, 2002)
- Випромінювання світла термічно генерованою електронно-дірковою плазмою в польовому КНІ-транзисторі (Укр. фіз. журн., 2002), Электрофизические свойства пленок In2O3(Sn) в слабых магнитных полях (В сб. статей “Нано-структурированные оксидные пленки и покрытия”, Петрозаводск, 2007), Germanium Thermistor (Journal of Electrical Engineering, 2016).
Повернутись на сторінку: “Склад кафедри”
Повернутись на сторінку: “Б-І“