Петричук Михайло Васильович

Petrichuk

1956 р.н., провідний науковий співробітник

Закінчив факультет електронної техніки Київського політехнічного інституту в 1979 р. У 1986-89 рр. навчався в аспірантурі Інституту фізики напівпровідників НАН України. В 1993 р. захистив кандидатську дисертацію “Дослідження природи надлишкового шуму в напівпровідниках” (науковий керівник проф. Лук’янчикова Н. Б.), в 2015 році захистив докторську дисертацію “ Електричний шум в структурах з низьковимірним електронним газом” (науковий консультант проф. Данильченко Б.О.) Працював науковим співробітником Науково-дослідного інституту ім. Мануїльського (1989-91 рр.), молодшим (1991-94 рр.), науковим (1994-2000 рр.) та старшим науковим співробітником (2000-02 рр.) Інституту фізики напівпровідників НАН України. З 2002 р. по 2015 р. працював старшим науковим співробітником, з 2016 – провідний науковий співробітник кафедри електрофізики факультету радіофізики, електроніки та комп’ютерних систем Київського національного університету. Щорічно під його керівництвом виконуються дипломні роботи студентами факультету радіофізики, електроніки та комп’ютерних систем КНУ. Веде спецкурс “Флуктуаційні явища в електронних системах” для магістрів. Основні напрями досліджень: низькочастотні флуктуації в електроніці; шумові дослідження НВЧ транзисторів на основі нітридів, розробка високочутливих сенсорів біохімічних реакцій на основі кремнієвих (MOSFET) та нітридних польових наноструктур, низькочастотний шум в квантових структурах. Експериментально доказано існування в напівпровідникових матеріалах об’ємних 1/f флуктуацій кількості носіїв заряду, що збагатило дискусію відносно природи 1/f шуму в напівпровідниках і дало додатковий аргумент на користь ідеї про зв’язок 1/f шуму і генераційно-рекомбінаційного шуму. Досліджено нестаціонарний низькочастотний надлишковий шум в потужних НВЧ польових транзисторах на основі GaN (HEMT), виявлено істотні зміни форми спектра в умовах саморозігріву. Даний вид шуму є результатом поведінки структури як складної системи із збільшеним числом ступенів вільності, і його дослідження виявляє особливості цієї поведінки. Результатом роботи є оптимізація технологічних умов виготовлення транзисторів. Започатковано дослідження магнітних рідин і полімер-композитів на основі магнітних наночастинок із напівпровідникових матеріалів Fe3O4 і LnSrMnO3, у тому числі покритих тонкою (~2 нм) напівпровідниковою плівкою. На основі цих матеріалів створено періодичні структури із змінними параметрами, а також високопровідні низькокоерцитивні магнітні плівки.Проведено дослідження шумових характеристик низько вимірних провідників – вуглецевих нанотрубок та одиночних органічних молекул, що дозволило не тільки уточнити механізми низьковимірної провідності, але й, за допомогою методів шумової спектроскопії визначити особливості молекулярної структури досліджених об’єктів.

Загальна кількість публікацій – 130. Деякі з них:

  • 1/f noise and generation-recombination processes at  discrete levels in semiconductors / Lukyanchikova N.B., Petrichuk M.V., Garbar N.P., Sasciuk A.P. et al. //Physica B, V.167, 1990
  • E. Equilibrium and non-equilibrium 1/f noise in AlGaN/GaN TLM structures / Vitusevich S. A. , Danylyuk S. V. , Petrychuk M. V. , Antoniuk O. A. , Klein N. and Belyaev //Applied Surface Science, 2004, V.238, P.143-146
  • Power and temperature dependence of low frequency noise in AlGaN/GaN transmission line model structures /  Vitusevich S.A.,  Danylyuk S.V.,  Klein N.,  Petrychuk M.V., and  Belyaev A.E.  //Journal of Applied Physics, 2004, V.96, No.10, P.5625-5630
  • Low-frequency noise in individual carbon nanotube field-effect transistors with top, side and back gate configurations: effect of gamma irradiation / V. A. Sydoruk, K. Goß, C. Meyer, M. V. Petrychuk, B. A. Danilchenko, P. Weber, C. Stampfer, J. Li, S. A. Vitusevich // Nanotechnology. – 2014. – V. 25, N. 3. – P. 035703.
  • Noise characterization of metal-single molecule contacts / D. Xiang, V. Sydoruk, S. Vitusevich, M. V. Petrychuk, A. Offenhausser, V. A. Kochelap, A. E. Belyaev, D. Mayer // Appl. Phys. Lett. – 2015. – V. 106. – P. 063702-1–4

 

Повернутись на сторінку: “Склад кафедри
 

Повернутись на сторінку: “К-Т

Comments are closed